Транзистор 2SD870

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe 50W 1500V 600V 5V 5A 150°C 1MHz 95 8MIN Производитель: TOSHIBA — Для бренда: Toshiba — Единиц в одном товаре: 1 — Модель: 2SD870 — Тип: Оригинал (Original) Подробнее