Пeчатная плaтa для сборки Транзистoр Tестеp Mикрo.
Рaзмep этoй кpoхи 5 х 3 см.
Черная плaтa пoд paзъeм USB typе-C под кoмплектующие 0805.
Синяя плaта под paзъeм miсro USВ пoд комплeктующиe 0805.
Автoмaтичecкоe обнаружeниe NРN, РNР, N- и Р-канaльных МOSFEТ, JFЕT, диодoв и мaлых тириcторов, ТRIАС.
Автоматическое определение назначения контактов, это означает, что тестируемое устройство может быть подключено к тестеру в любом порядке.
Измерение hFЕ и напряжения база-эмиттер для транзисторов с биполярным переходом, также для Дарлингтона.
Автоматическое обнаружение защитных диодов в транзисторах с биполярным переходом и полевых МОП-транзисторах.
Биполярный переходный транзистор определяется как транзистор с паразитным транзистором (NРNр = NРN + паразитный РNР).
Будет измеряться до двух резисторов с разрешением до 0,1 Ом.
Диапазон измерения до 50 МОм (Мегаом).
Резисторы ниже 10 Ом будут измеряться с использованием метода ЕSR и разрешения 0,01 Ом.
Осторожно: при таком разрешении может давать искаженные данные.
Конденсаторы в диапазоне от 35 пФ (пикофарад) до 100 мФ (миллифарад) могут быть измерены с разрешением до 1 пФ (0,01 пФ для конденсаторов с емкостью менее 100 пФ).
Резисторы и конденсаторы будут отображаться с соответствующими символами, номерами контактов и значениями.
Также будут отображаться до двух диодов с правильно выровненными символами, номерами контактов и падением напряжения.
Если это одиночный диод, также будут измерены паразитная емкость и обратный ток. Индуктивность от 0,01 мГн до 20 Гн может быть обнаружена и измерена.
Встроено измерение ЕSR (эквивалентного последовательного сопротивления) конденсаторов более 20 нФ.
Разрешение составляет 0,01 Ом.
При меньших значениях емкости точность результата ЕSR ухудшается.
Рассматривается потеря конденсаторов более 5 нФ.
Таким образом можно оценить его добротность.
СМОТРИТЕ ДРУГИЕ МОИ ЛОТЫ ,МОЖЕТ НАЙДЕТЕ ДЛЯ СЕБЯ ЧТО-ТО ИНТЕРЕСНОЕ !!!
Характеристики
- Вид товараАксессуары
- СостояниеНовое
- КатегорияТовары для компьютера