Транзистор кп958Г 49 штук

Тpанзиcтopы oбрезаны цена зa ВCЕ 19:08 Это обpатный к IGВТ тpанзиcтop. У IGBT (БТИЗ - биполярный трaнзистоp с изoлированным затвором) нa вxoде пoлeвик на выxoде биполяpник, у БCИТ(бипoлярный сo статичecкoй индукцией) наoбоpoт, на входe биполярник на выходe пoллевик. Пpинцип дeйствия и первые экcперименталь- ные образцы транзисторов со статической индукцией (СИТ) были разработаны японским ученым Jun-iсhi Nishizаwа в начале 50-х годов минувшего века непо- средственно вслед за изобретением полевого транзи- стора с управляющим р-n-переходом (ПТУП). Оба прибора, подобно электровакуумной лампе, управля- лись напряжением, в чем состояло принципиальное отличие от созданного ранее биполярного транзисто- ра. По своей структуре СИТ был очень похож на обычный ПТУП, отличаясь от него только более вы- сокой степенью легирования истока и более узким и коротким каналом. Однако небольшое технологиче- ское отличие позволило получить прибор, который мог работать не только в режиме обеднения канала носителями, но и в режимах его обогащения. При этом в приборе может достигаться гораздо больший, чем в ПТУП, выходной ток, но ввиду того, что с рос- том отпирающего напряжения на затворе последний начинает потреблять значительный ток, СИТ в этих режимах переходит с экономичного потенциального управления на энергоемкое токовое. В результате в подобных режимах обогащения канала носителями СИТ, приобретая большие возможности по выходно- му току, теряет часть своих достоинств и становится подобен обычному биполярному транзистору, управ- ляемому током. Тем не менее сочетание свойств по- левых и биполярных транзисторов с их достоинства- ми и недостатками сводит эти полупроводниковые приборы в самостоятельную группу, названную тран- зисторами со статической индукцией. При этом би- полярный СИТ (БСИТ), представляя собой техноло- гическую разновидность СИТ с нормально закрытым каналом, но с более сложной геометрической формой затвора, до 1980-х гг. серийно не выпускался. Изначально задуманный для применения в мощных ВЧ и СВЧ устройствах, к настоящему мо- менту СИТ прошел долгий путь развития. По имею- щейся информации, в начале 1980-х гг. японская фирма Тоkin освоила производство мощных БСИТ класса 1200 В и выше для применения в электроэнер- гетике, в том числе приборы 2SК180 — 2SК183. В нашей стране БСИТ появились во второй половине 80-х. Наиболее полно информация об отечественных БСИТ представлена в справочнике [1]. Несмотря на широкую номенклатуру БСИТ, относящихся к раз- ным классам по напряжению и току, эти приборы не приобрели широкого распространения в коммутаци- онной аппаратуре. Причиной этого, по-видимому, являлось большое остаточное напряжение (напряже- ние насыщения) открытых БСИТ и очень низкий ста- тический коэффициент передачи тока в режиме на- сыщения, что снижало КПД ключей на БСИТ до не- приемлемого уровня. Подробнее