Характеристики
- Вид товара
- Тип товара
- Состояние
Тип памяти DDR3
DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 МБ/с
Объем 1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 2
Samsung [M378B5173QH0-CK000] 4 ГБ
и у той и у той тайминги 11-11-11