Характеристики
- Вид товара
- Тип товара
- Состояние
Ядро-Lynnfield
Количествор-4
Техпроцесс, нм-45 high-k
Разъем LGA-1156
Частота, МГц-2800
Множитель-21
FSB/HT/QPI-2.5 GT/s
кэш L1, КБ-32+32 x4
кэш L2, КБ-256x4
кэш L3, КБ-8192
Напряжение питания, В-0,65~1,400
TDP, Вт-95
Кол-во транзисторов, млн-774
Площадь кристалла, кв. мм-296
Предельная температура, °C-72.7
Набор инструкций:RISC, IA32, XD bit, MMX, EM64T, SSE, SSE2, SSE3, Supplemental SSE3, SSE4.2
Прочие особенности:VT,EIST