Характеристики
- Вид товара
- Тип товара
- Состояние
- Производитель
- Код производителя
- Тип
- Форм-фактор
- Объём одного модуля, ГБ
- Тактовая частота, МГц
- Количество модулей в комплекте
- Категория
Описание
Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Напряжение питания 1.8 В Дополнительная информация CL-tRCD-tRP 5-5-5 или 6-6-6
Подробные характеристики
ПроизводительSamsung
Тип DDR2
Объем одного модуля 2 ГБ
Тактовая частота 800 МГц
Форм-фактор SODIMM
Количество модулей в комплекте1 шт.
CL6
Характеристики
Тип
DDR2
Форм-фактор
SODIMM
Количество модулей в комплекте
1 шт.
Объем одного модуля
2 ГБ
Тактовая частота
800 МГц
Пропускная способность
PC6400
CL
6
Напряжение питания
1.8 В
Количество рангов
2
Количество контактов
200